من طرف ???? الثلاثاء أبريل 13, 2010 5:33 amتعتمد عملية تشخيص الأعطال فى الدوائرالإلكترونية على عدد من خطوات التفكير المنطقى تتطلب فهم لنظرية وطريقة عمل كلدائرة على حدة ألا أن هناك بعض الأسس الثابتة والتى يمكن الإستعانة بها عند تشخيص الأعطال فى عدد كبير من الدوائر وكما نرى فإن بعض أعطال الدوائر الإلكترونية تنشأ نتيجة لعدم توصيلها أو تشغيلها بالطريقة الصحيحة . فى هذه الحالة يجب مراجعة بعض التوصيلات فى الدائرة والتأكد من توصيل مصادر التغذية وبالقيمة والقطبية الصحيحة .أما إذا تبين لنا وجود عطلا حقيقيا بالدائرة فعلينا أن نلقى نظرة فاحصة وشاملة على عناصر الدائرة بهدف اكتشاف أى مظهر من مظاهر التلف الظاهرى حيث يساعد هذا كثيرا فىسرعة تتبع الأعطال أما إذا لم نجد أى مظهر من مظاهر التلف الظاهرى فى هذه الحالة نبدأ باستخدام أجهزة القياس المناسبة لتتبع العطل .
عند اكتشاف بعض العناصر فى الدوائر الإلكترونية يتعين علينا عدم الاكتفاء باستبدال هذه العناصربأخرى جديدة بل يجب التعرف على الأسباب المحتملة التى قد أدت إلى تلفها
وبصفة عامة يمكن تقسيم أسباب تلف العناصر الإلكترونية كما يلى :
1- أسباب داخلية :
تتعلق بجودة تصنيع العنصر ذاته وبالتالي قدرته على الاستمرار فى أداء وظائفه لفترة زمنية لا تقل عن عمره النظري أوالإفتراضى.
2- أسباب خارجية :
تتمثل فى مجموعة الدوائرالمساعدة والمحيطة بالعنصر والتي تقوم بتحديد قيم الجهد وشكل التيارات الواصلة إلى هذا العنصر وبالتالى تحديد نقطة تشغيله كما وردت فى التصميم النظرى لهذه الدائرة.
وكما نرى فإن من أسس الصيانة والإصلاح بالنسبة للدوائر الإلكترونية هوضرورة تتبع ومعرفة الأسباب المحتملة لتلف العناصر الإلكترونية.
1- المقاومة الكربونية Carbon resistance
عند مرور تيار كبير فى المقاومةالكربونية بحيث يتعدى قيمة القدرة المقننة Rating Power لعملها فإن المقاومة تحترق ويظهر هذا عليها بوضوح.
فى هذه الحالة وقبل تغيير المقاومة بأخرى لها نفسالقيمة ونفس قيمة القدرة يجب التأكد من عدم وجود قصر ShortCircuit بين طرف دخول التيار إلى هذه المقاومة وبين الأرضي ويتم ذلك باستخدام جهاز الأفوميتر بعد ضبطه على وضع الأوم.
2- مكثفات الربط Coupling Capacitor
عادةيكون تلف مكثفات الربط نتيجة عملها لمدة طويلة وتأثرها بارتفاع درجة الحرارة وفى هذه الحالة يكتفى بتغير المكثف التالف بأخر له نفس القيمة.
3- المكثف الكميائى Chemical Capacitor
تأثر المكثفات الكيميائية بارتفاع درجةالحرارة وكذلك بارتفاع قيمة الجهد الواصل إليها . فى هذه الحالة يتم تغيير المكثف التالف بأخر له نفس القيمة ونفس قيمة جهد التشغيل والذي نجده مدون على جسم المكثف ثم يتم قياس قيمة الجهد الواصل إليه أثناء التشغيل وذلك باستخدام جهاز الأفوميتربعد ضبطه على وضع قياس الجهد المستمر DC واختيار مقاس الجهد المناسب.
4- ثنائي شبه الموصل لتوحيد التيار Semi-Conductor Rectification Diode
يحدث تلف ثنائيات شبه الموصل عند مرور تيار كبير بها يتعدى القيمةالمقننة لتشغيلها . فى هذه الحالة يتم فك الثنائيات من الدائرة المطبوعة ثم التأكدمن عدم وجود قصر بين أصراف خرجها (الموجودة على الدئرة المطبوعة) وبين الأرضى .فإذا تأكدنا من عدم وجود قصر يتم تركيب ثنائيات جديدة لها نفس الأرقام أو أرقام بديلة ثم نقوم بقياس جهد خرج الثنائيات أثناء عملها والتأكد من تطابقه مع القيمةالمدونة على الدائرة النظرية.
5- ثنائى زنر Zener Diode
يحدث تلف الزينر عند زيادة الجهد الواصل إليه عن القيمة المسموح بها فى هذه الحالة يتم تغيير الزينر بأخر له نفس الرقم ثم التأكد من أن الجهد الواصل إليهيقع فى حدود القيمة المسموح بها.
6- محول خفض أو رفع التيار
تتأثر المحولات الكهربية بارتفاع درجة حرارتها أثناء التشغيل مما يؤدى إلى تلف عازل الملفات بها وبالتالى حدوث قصر بين ملفاتها. من ناحية أخرى عند حدوثارتفاع مفاجىء فى جهد مصدر التيار الكهربى فإن هذا قد يؤدى إلى إنصهار وبالتالى قطعفى إحدى ملفات الملف الإبتدائى الواصل إلى المنبع فى هذه الحالة يتعين :
* فصل دخل المحول عن التيار الكهربى.
* فصل خرج المحول عن دائرةالتوحيد.
* قياس قيم مقاومات الملف الإبتدائى وكذلك الملفات الثانوية فإذا تبين وجود قصر Short أو قطع Open فى إحدى الملفات يتم تغيير المحول بأخر له نفس الجهد والتيار المقننة وذلك بعد إجراء الخطوات التالية :
- قياس جهد المنبعوالتأكد من أن قيمته تقع فى الحدود المسموحة.
- التأكد من عدم تلف ثنائيات (أوقنطرة) التوحيد .
- التأكد من عدم تلف مكثف التنعيم الكيميائي.
- التأكد منعدم وجود قصر بين طرف خرج الجهد المستمر وبين الأرضي.
7- الترانزستور
يحدث تلف الترانزستور إما بسبب العوامل الداخلية التى ذكرناها من قبلأو نتيجة لاختلال فى جهود الانحياز الواصلة إليه عن طريق المقاومات المتصلة به.كذلكنجد أن حدوث قصر فى دائرة حمل الترانزستور تؤدى أيضا لتلفة فى هذه الحالة يجب فك أطراف الترانزستور وقياس المقاومة بين أطرافه باستخدام جهاز الأفوميتر حيث يجب أنتتطابق هذه القياسات مع قياسات الثنائيات الموضحة فى الشكل . فإذا تأكدنا من تلف الترانزستور فيجب التأكد أولا من سلامة عناصر دائرة الإنحياز الخاصة بهذاالترانزستور المستبدل له نفس الرقم أو الرقم البديل.
8- الدوائرالمتكاملة
عند ظهور أعراض ظاهرية للتلف على دائرة متكاملة فى هذهالحالة يجب فحص دائرة حملها وكذلك عناصر دائرة الإنحياز لها والتأكد من عدم وجودقصر أو قطع فى هذه الدوائر فإذا تأكدنا من ذلك فإنه من الراجح أن يكون سبب تلفها هوسبب داخليا وعلينا باستبدالها بأخرى لها نفس الرقم.
عند اكتشاف بعض العناصر فى الدوائر الإلكترونية يتعين علينا عدم الاكتفاء باستبدال هذه العناصربأخرى جديدة بل يجب التعرف على الأسباب المحتملة التى قد أدت إلى تلفها
وبصفة عامة يمكن تقسيم أسباب تلف العناصر الإلكترونية كما يلى :
1- أسباب داخلية :
تتعلق بجودة تصنيع العنصر ذاته وبالتالي قدرته على الاستمرار فى أداء وظائفه لفترة زمنية لا تقل عن عمره النظري أوالإفتراضى.
2- أسباب خارجية :
تتمثل فى مجموعة الدوائرالمساعدة والمحيطة بالعنصر والتي تقوم بتحديد قيم الجهد وشكل التيارات الواصلة إلى هذا العنصر وبالتالى تحديد نقطة تشغيله كما وردت فى التصميم النظرى لهذه الدائرة.
وكما نرى فإن من أسس الصيانة والإصلاح بالنسبة للدوائر الإلكترونية هوضرورة تتبع ومعرفة الأسباب المحتملة لتلف العناصر الإلكترونية.
1- المقاومة الكربونية Carbon resistance
عند مرور تيار كبير فى المقاومةالكربونية بحيث يتعدى قيمة القدرة المقننة Rating Power لعملها فإن المقاومة تحترق ويظهر هذا عليها بوضوح.
فى هذه الحالة وقبل تغيير المقاومة بأخرى لها نفسالقيمة ونفس قيمة القدرة يجب التأكد من عدم وجود قصر ShortCircuit بين طرف دخول التيار إلى هذه المقاومة وبين الأرضي ويتم ذلك باستخدام جهاز الأفوميتر بعد ضبطه على وضع الأوم.
2- مكثفات الربط Coupling Capacitor
عادةيكون تلف مكثفات الربط نتيجة عملها لمدة طويلة وتأثرها بارتفاع درجة الحرارة وفى هذه الحالة يكتفى بتغير المكثف التالف بأخر له نفس القيمة.
3- المكثف الكميائى Chemical Capacitor
تأثر المكثفات الكيميائية بارتفاع درجةالحرارة وكذلك بارتفاع قيمة الجهد الواصل إليها . فى هذه الحالة يتم تغيير المكثف التالف بأخر له نفس القيمة ونفس قيمة جهد التشغيل والذي نجده مدون على جسم المكثف ثم يتم قياس قيمة الجهد الواصل إليه أثناء التشغيل وذلك باستخدام جهاز الأفوميتربعد ضبطه على وضع قياس الجهد المستمر DC واختيار مقاس الجهد المناسب.
4- ثنائي شبه الموصل لتوحيد التيار Semi-Conductor Rectification Diode
يحدث تلف ثنائيات شبه الموصل عند مرور تيار كبير بها يتعدى القيمةالمقننة لتشغيلها . فى هذه الحالة يتم فك الثنائيات من الدائرة المطبوعة ثم التأكدمن عدم وجود قصر بين أصراف خرجها (الموجودة على الدئرة المطبوعة) وبين الأرضى .فإذا تأكدنا من عدم وجود قصر يتم تركيب ثنائيات جديدة لها نفس الأرقام أو أرقام بديلة ثم نقوم بقياس جهد خرج الثنائيات أثناء عملها والتأكد من تطابقه مع القيمةالمدونة على الدائرة النظرية.
5- ثنائى زنر Zener Diode
يحدث تلف الزينر عند زيادة الجهد الواصل إليه عن القيمة المسموح بها فى هذه الحالة يتم تغيير الزينر بأخر له نفس الرقم ثم التأكد من أن الجهد الواصل إليهيقع فى حدود القيمة المسموح بها.
6- محول خفض أو رفع التيار
تتأثر المحولات الكهربية بارتفاع درجة حرارتها أثناء التشغيل مما يؤدى إلى تلف عازل الملفات بها وبالتالى حدوث قصر بين ملفاتها. من ناحية أخرى عند حدوثارتفاع مفاجىء فى جهد مصدر التيار الكهربى فإن هذا قد يؤدى إلى إنصهار وبالتالى قطعفى إحدى ملفات الملف الإبتدائى الواصل إلى المنبع فى هذه الحالة يتعين :
* فصل دخل المحول عن التيار الكهربى.
* فصل خرج المحول عن دائرةالتوحيد.
* قياس قيم مقاومات الملف الإبتدائى وكذلك الملفات الثانوية فإذا تبين وجود قصر Short أو قطع Open فى إحدى الملفات يتم تغيير المحول بأخر له نفس الجهد والتيار المقننة وذلك بعد إجراء الخطوات التالية :
- قياس جهد المنبعوالتأكد من أن قيمته تقع فى الحدود المسموحة.
- التأكد من عدم تلف ثنائيات (أوقنطرة) التوحيد .
- التأكد من عدم تلف مكثف التنعيم الكيميائي.
- التأكد منعدم وجود قصر بين طرف خرج الجهد المستمر وبين الأرضي.
7- الترانزستور
يحدث تلف الترانزستور إما بسبب العوامل الداخلية التى ذكرناها من قبلأو نتيجة لاختلال فى جهود الانحياز الواصلة إليه عن طريق المقاومات المتصلة به.كذلكنجد أن حدوث قصر فى دائرة حمل الترانزستور تؤدى أيضا لتلفة فى هذه الحالة يجب فك أطراف الترانزستور وقياس المقاومة بين أطرافه باستخدام جهاز الأفوميتر حيث يجب أنتتطابق هذه القياسات مع قياسات الثنائيات الموضحة فى الشكل . فإذا تأكدنا من تلف الترانزستور فيجب التأكد أولا من سلامة عناصر دائرة الإنحياز الخاصة بهذاالترانزستور المستبدل له نفس الرقم أو الرقم البديل.
8- الدوائرالمتكاملة
عند ظهور أعراض ظاهرية للتلف على دائرة متكاملة فى هذهالحالة يجب فحص دائرة حملها وكذلك عناصر دائرة الإنحياز لها والتأكد من عدم وجودقصر أو قطع فى هذه الدوائر فإذا تأكدنا من ذلك فإنه من الراجح أن يكون سبب تلفها هوسبب داخليا وعلينا باستبدالها بأخرى لها نفس الرقم.
